MIT Lincoln Laboratory investiert in zwei 300-mm-Hyperion-Systeme von AIXTRON zur Förderung der Forschung an GaN und 2D-Materialien

^
EQS-Media / 23.06.2026 / 07:30 CET/CEST

MIT Lincoln Laboratory investiert in zwei 300-mm-Hyperion-Systeme von
AIXTRON zur Förderung der Forschung an GaN und 2D-Materialien

Herzogenrath, 23. Juni 2026 - AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein führender Anbieter
von Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt,
dass das MIT Lincoln Laboratory im Rahmen einer Partnerschaft, die durch das
Büro des Gouverneurs von Massachusetts und die Northeast Microelectronics
Coalition (NEMC) ermöglicht wurde, zwei Hyperion-300-mm-Systeme erworben
hat. Die Systeme unterstützen die Forschung in den Bereichen
Galliumnitrid-(GaN)-Leistungselektronik, Hochfrequenzanwendungen sowie
zweidimensionaler (2D) Materialien der nächsten Generation. Sie stehen
Nutzern innerhalb und außerhalb des NEMC-Ökosystems zur Verfügung.

Die beiden Hyperion-Systeme werden im Lincoln Laboratory des Massachusetts
Institute of Technology (MIT) installiert und primär für die Bearbeitung von
200-mm-Wafern konfiguriert. Gleichzeitig bleibt die volle Prozessfähigkeit
für Substrate bis zu 300 mm erhalten. Diese Flexibilität ermöglicht es den
Forschern, mit verschiedenen Wafergrößen zu arbeiten und den Übergang
vielversprechender Materialien und Bauelementkonzepte in eine
Serienproduktion zu unterstützen.

Ein Hyperion-System wird für die Entwicklung von GaN-Leistungs- und
HF-Bauelementen eingesetzt, einschließlich der Erforschung neuartiger
Barrierestrukturen und fortschrittlicher Materialkonzepte für
Hochleistungsbauelemente der nächsten Generation. Das zweite System wird der
Forschung an 2D-Materialien gewidmet, wobei Transistoren der nächsten
Generation und "Remote-Epitaxie" zu den Zielanwendungen gehören.

"Wir freuen uns sehr, unsere Partnerschaft mit dem MIT weiter auszubauen.
Dieser Meilenstein stellt einen weiteren wichtigen Schritt für die
Technologie von AIXTRON sowie für die umfassendere Integration von GaN- und
2D-Materialien in siliziumbasierte Fertigungsumgebungen dar", sagte Dr.
Felix Grawert, CEO von AIXTRON. "Die Hyperion-300-mm-Plattform kombiniert
skalierbare Waferkapazität mit hoher Prozessflexibilität und eignet sich
damit hervorragend für die Spitzenforschung des MIT Lincoln Laboratory in
zwei der vielversprechendsten Bereiche der modernen Mikroelektronik. Ihre
Vielseitigkeit unterstützt die Entwicklung von Materialien der nächsten
Generation und ebnet den Weg von der Forschung zur zukünftigen industriellen
Anwendung."

Dieses Projekt baut auf dem Engagement des Bundesstaates Massachusetts auf,
die heimische Halbleiterinnovation im Bereich der Halbleitertechnik durch
den NEMC Hub zu stärken. Das SCALE Capital Program der NEMC unterstützt
gezielte Investitionen in strategische Anlagen an führenden
Forschungseinrichtungen. Es wird durch Mittel der
Healey-Driscoll-Administration sowie des NEMC-Hub finanziert und soll
Fortschritte in der Mikroelektronik beschleunigen sowie die Zusammenarbeit
zwischen Wissenschaft, Staat und Industrie stärken.

Ansprechpartner
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON
AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Beschichtungsanlagen für die
Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen
Hauptsitz in Herzogenrath (bei Aachen), Deutschland, sowie
Tochtergesellschaften und Vertriebsniederlassungen in Asien, den Vereinigten
Staaten und Europa. Die Technologielösungen von AIXTRON werden weltweit von
einer Vielzahl von Kunden eingesetzt, um fortschrittliche Komponenten für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleitern oder organischen Halbleitermaterialien herzustellen.
Solche Komponenten finden in einer Vielzahl von Anwendungen, Technologien
und Branchen Verwendung. Dazu gehören Laser- und LED-Anwendungen,
Display-Technologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Leistungsmanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signaltechnik und Beleuchtung sowie eine Reihe
weiterer Spitzenanwendungen.

Unsere eingetragenen Marken: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close
Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®,
Multi-Ject®, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®.

Weitere Informationen zu AIXTRON (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) finden Sie
auf unserer Website unter: www.aixtron.com.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen bezüglich des Geschäfts,
der Betriebsergebnisse, der Finanzlage und der Ertragsaussichten von AIXTRON
enthalten. Diese Aussagen sind an Begriffen wie "könnte", "wird",
"erwarten", "voraussehen", "in Erwägung ziehen", "beabsichtigen", "planen",
"glauben", "fortsetzen" und "schätzen" sowie an Variationen solcher Begriffe
oder ähnlichen Ausdrücken zu erkennen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen
basieren auf unseren aktuellen Einschätzungen, Erwartungen und Annahmen, von
denen viele außerhalb der Kontrolle von AIXTRON liegen und Risiken sowie
Unsicherheiten unterliegen. Sie sollten sich nicht übermäßig auf diese
zukunftsgerichteten Aussagen verlassen. Sollten diese Risiken oder
Unsicherheiten eintreten oder sollten die zugrunde liegenden Erwartungen
nicht eintreten oder sich Annahmen als unrichtig erweisen, können die
tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen oder Erfolge von AIXTRON erheblich von
den in der jeweiligen zukunftsgerichteten Aussage explizit oder implizit
beschriebenen abweichen. Dies könnte auf eine Vielzahl von Faktoren
zurückzuführen sein, wie z. B. die tatsächlich bei AIXTRON eingegangenen
Kundenaufträge, die Nachfrage nach Abscheidungstechnologie auf dem Markt,
den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme der Produkte durch die Kunden, die
Lage auf den Finanzmärkten und den Zugang zu Finanzmitteln für AIXTRON, die
allgemeinen Marktbedingungen für Abscheidungsanlagen und die
makroökonomischen Rahmenbedingungen, Stornierungen, Terminverschiebungen
oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Einschränkungen der
Produktionskapazitäten, verlängerte Verkaufs- und Qualifizierungszyklen,
Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung in der
Halbleiterindustrie, verstärkter Wettbewerb, Wechselkursschwankungen, die
Verfügbarkeit öffentlicher Fördermittel, Schwankungen und/oder Änderungen
der Zinssätze, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer
Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie alle
anderen Faktoren, die in Berichten oder anderen Veröffentlichungen,
insbesondere im Kapitel "Risiken" des von AIXTRON eingereichten
Geschäftsberichts, erörtert werden. Alle in diesem Dokument enthaltenen
zukunftsgerichteten Aussagen basieren auf den aktuellen Erwartungen und
Prognosen des Vorstands auf der Grundlage der zum Zeitpunkt der
Veröffentlichung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine
Verpflichtung, zukunftsgerichtete Aussagen aufgrund neuer Informationen,
zukünftiger Ereignisse oder aus anderen Gründen zu revidieren oder zu
aktualisieren, es sei denn, dies ist gesetzlich ausdrücklich vorgeschrieben.
Dieses Dokument ist auch in einer deutschen Übersetzung verfügbar. Im Falle
von Abweichungen ist das englischsprachige Dokument maßgebend und gilt als
gültige Fassung.

Ende der Pressemitteilung

---------------------------------------------------------------------------

Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen

23.06.2026 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt
durch EQS News - ein Service der EQS Group.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.

Die EQS Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate
News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.
Originalinhalt anzeigen:
https://eqs-news.com/?origin_id=cd0b9fc2-6e06-11f1-8534-027f3c38b923&lang=de

---------------------------------------------------------------------------

Sprache: Deutsch
Unternehmen: AIXTRON SE
Dornkaulstraße 2
52134 Herzogenrath
Deutschland
Telefon: +49 (2407) 9030-0
Fax: +49 (2407) 9030-445
E-Mail: invest@aixtron.com
Internet: www.aixtron.com
ISIN: DE000A0WMPJ6
WKN: A0WMPJ
Indizes: MDAX, TecDAX
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard);
Freiverkehr in Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München,
Stuttgart, Tradegate BSX; Nasdaq OTC
EQS News ID: 2350418

Ende der Mitteilung EQS-Media
---------------------------------------------------------------------------

2350418 23.06.2026 CET/CEST

°