Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON^EQS-Media / 23.04.2024 / 07:30 CET/CESTVishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRONHerzogenrath, 23. April 2024 - Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hatsich für die G10-SiC von AIXTRON (FSE: AIXA) entschieden, um die eigenenKapazitäten im Bereich SiC-Epitaxie zur Produktion von Leistungsbauelementenhochzufahren. Die Lösung von AIXTRON wird künftig in Vishaysautomotive-zertifizierter Newport-Fabrik in Südwales zum Einsatz kommen. Dieflexible Konfiguration der G10-SiC mit 9x150 mm oder 6x200 mm Wafernunterstützt den einfachen Wechsel zu größeren Wafer-Durchmessern.Vishay ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleiternund passiven elektronischen Komponenten. Diese Bauteile kommen in denBereichen Industrie, Computer, Automobil, Konsumgüter, Telekommunikation,Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizintechnik in allen Arten vonelektronischen Geräten und Systemen zum Einsatz."Die neue G10-SiC Epi-Produktionsanlage für die 200 mm Epitaxie ermöglichteine hervorragende Kostenstruktur, die den Produktivitätszielen von Vishayentspricht. Dies in Kombination mit einer exzellenten Gleichförmigkeit überden gesamten 200-mm-Waferdurchmesser hinweg hat uns dazu veranlasst,AIXTRON-Technologie zu wählen. Das AIXTRON-Team hat eine einzigartige Lösungfür präzise Kontrolle von Dotierstoffen und Schichtdicken auf 200 mmSiC-Wafern entwickelt. Diese Leistung wird über die gesamte 6x200mm-Wafercharge mit einer beeindruckenden Run-to-Run-Stabilitätgewährleistet", sagte Danilo Crippa, Senior Director R&D fürSiC-Entwicklung, Vishay Intertechnology, Inc."Wir freuen uns über die Gelegenheit, eng mit Vishay zusammenzuarbeiten undunser hochmodernes Epi-Produktionssystem mit flexibler 150 und 200mm-SiC-Waferkonfiguration für Vishays automotive-zertifizierte Fabrik inNewport (Südwales) zu liefern. Unser starkes Kundenservice-Team im SouthWales Compound Semiconductor Cluster unterstützt Vishay dabei, dieSiC-Inhouse-Epitaxie in kürzester Zeit auf höchste Produktivität zubringen", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President SiC, AIXTRON SE.Seit ihrer Markteinführung im September 2022 hat sich AIXTRONsG10-SiC-Anlage schnell zur führenden Anlage für 150 mm- und 200mm-SiC-Epitaxie entwickelt. Dank der neuesten technologischen Fortschrittebietet die Anlage erstklassige Uniformität in Kombination mit dem höchstenWafer-Durchsatz pro m² Reinraumfläche auf dem Markt. Damit ermöglicht siedie Produktion von SiC-Leistungsbauelementen zu den niedrigstenBetriebskosten. Uniformität und Produktivität sind ausschlaggebend für dieProduktionsausbeute und -kosten und damit entsprechend für dieElektrifizierung der Automobilbranche und weiterer Industriemärkte.AnsprechpartnerMedien:Ragah DorenkampDirector Corporate Communicationsfon +49 (2407) 9030-1830e-mail r.dorenkamp@aixtron.comInvestoren:Carsten WerleDirector Investor Relations (interim)fon +49 (2407) 9030-8815e-mail c.werle.sc@aixtron.comÜber AIXTRONDie AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter vonDepositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowieNiederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. DieTechnologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breitenKundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen fürelektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis vonVerbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. DieseBauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologienund Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, undDisplaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitereanspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), AtomicLevel SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind imInternet unter www.aixtron.com verfügbar.Zukunftsgerichtete AussagenDieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, dieFinanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffewie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen","beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diesezukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben diegegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRONManagements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereichesliegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken undUnsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in diezukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oderUngewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungenzukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dassAnnahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissenabweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussagegenannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zumBeispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfangder Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt derendgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklimaund die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinenMarktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- undQualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeineEntwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungenbei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterungder allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, dieAIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im AbschnittRisiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltenezukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen undPrognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilungverfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zurAktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuerInformationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keineausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, beiAbweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments derenglischen Übersetzung vor.Ende der Pressemitteilung---------------------------------------------------------------------------Emittent/Herausgeber: AIXTRON SESchlagwort(e): Unternehmen23.04.2024 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermitteltdurch EQS News - ein Service der EQS Group AG.Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.Die EQS Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, CorporateNews/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.Medienarchiv unter https://eqs-news.com--------------------------------------------------------------------------- Sprache: Deutsch Unternehmen: AIXTRON SE Dornkaulstraße 2 52134 Herzogenrath Deutschland Telefon: +49 (2407) 9030-0 Fax: +49 (2407) 9030-445 E-Mail: invest@aixtron.com Internet: www.aixtron.com ISIN: DE000A0WMPJ6 WKN: A0WMPJ Indizes: MDAX, TecDAX Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart, Tradegate Exchange; Nasdaq OTC EQS News ID: 1886483Ende der Mitteilung EQS-Media---------------------------------------------------------------------------1886483 23.04.2024 CET/CEST°