AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert

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EQS-Media / 22.09.2025 / 07:30 CET/CEST

AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert

Herzogenrath, 22. September 2025 - AIXTRON SE (FSE: AIXA) liefert sein 100.
G10-SiC-System aus. Dieser Meilenstein unterstreicht die starke
Marktnachfrage nach der G10-SiC-Epitaxie-Batch-Technologie von AIXTRON in
den letzten drei Jahren und stärkt die weltweite Fertigung von
Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen für die Leistungselektronik der
nächsten Generation.

AIXTRON, führender Anbieter von Depositionsanlagen für die
Halbleiterindustrie, gab heute die Auslieferung seines 100. G10-SiC-Systems
bekannt. Die Lieferung erfolgte an einen europäischen Hersteller von
Leistungsbauelementen und -systemen und dient dem Ausbau seiner
Produktionskapazitäten für 200 mm Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie.

Dieser Erfolg verdeutlicht die weltweite Nutzung der SiC Planetary
Reactor®-Technologie von AIXTRON, die die Herstellung von sehr gleichmäßigem
und qualitativ hochwertigem Siliziumkarbidschichten ermöglicht - einem der
entscheidenden Schritte zur Produktion effizienter SiC-Leistungshalbleiter.
Nur drei Jahre nach Markteinführung ist AIXTRONs fortschrittliche
SiC-Epitaxieanlage weltweit bei den meisten Herstellern von
SiC-Bauelementen, Halbleiterfertigungsbetrieben und Epitaxie-Dienstleistern
im Einsatz.

"Die Auslieferung des 100. G10-SiC-Systems ist ein bedeutender Meilenstein
für AIXTRON und unsere Kunden", sagte Dr. Frank Wischmeyer, Vice President
Silicon Carbide bei AIXTRON. "Sie zeigt das große Vertrauen des Marktes in
unsere Technologie und bestätigt unsere führende Rolle beim globalen Ausbau
der SiC-Leistungselektronik - einem zentralen Treiber der fortschreitenden
Elektrifizierung unserer Gesellschaft."

Siliziumkarbid ist ein Halbleiter mit breiter Bandlücke, der die
Leistungswandlung in verschiedensten Industriezweigen grundlegend
revolutioniert. Dank seiner hohen Effizienz und Leistungsfähigkeit wird es
zunehmend in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und
industriellen Stromversorgungen eingesetzt. Darüber hinaus findet
Siliziumkarbid verstärkt Anwendung in kompakten Hochleistungsanwendungen -
etwa bei leistungsstarken Stromversorgungen ab 12kW für KI-basierte
Serverfarmen.

AIXTRONs G10-SiC-System kombiniert in seiner einzigartigen 6×200mm
Multi-Wafer-Batch-Konfiguration höchste Produktionsleistung mit optimaler
Qualität und Ausbeute der Epitaxialschichten. Die Multi-Ject®-Technologie
sorgt für eine gleichmäßige Schichtbildung über ein breites Spektrum von
Spannungsklassen der SiC-Halbleiter.

Die Anlage ermöglicht auch die Massenproduktion auf 150-mm-Wafern und
garantiert damit Flexibilität während der Umstellung der Branche auf die
größeren 200-mm-Waferformate.

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen

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