Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert

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EQS-Media / 30.09.2025 / 07:30 CET/CEST

Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige
Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert

Herzogenrath, 30. September 2025 - Die Cornell University in Ithaca, New
York, hat ein hochmodernes Close Coupled Showerhead® (CCS) Metal-Organic
Chemical Vapor Deposition (MOCVD)-System von AIXTRON SE (FSE: AIXA)
erworben. Das MOCVD-System wird die Arbeit der Materialwissenschaftlichen
Fakultät der Cornell University stärken und ihre Möglichkeiten zur
Erforschung und Entwicklung fortschrittlicher scandium- und yttriumhaltigen
Materialien mit vielversprechenden Anwendungsmöglichkeiten in der Elektronik
erweitern.

Die Anschaffung durch die Cornell University ist die erste Installation
eines AIXTRON CCS MOCVD-Systems an der Universität und stellt eine
bedeutende Aufwertung ihrer Forschungsinfrastruktur dar. Das CCS-System
ermöglicht die Abscheidung hochwertiger, hochgradig gleichmäßiger
Dünnschichten - eine wesentliche Voraussetzung für bahnbrechende
Halbleiter-Bauelemente. Insbesondere die Einbindung von Scandium (Sc) oder
Yttrium (Y) in bestimmte Materialsysteme kann die piezoelektrischen
Eigenschaften deutlich verbessern. In einigen Berichten wurde bereits
gezeigt, dass ein Anteil von wenigen Prozent Scandium die piezoelektrischen
Koeffizienten um ein Vielfaches erhöhen kann, was in Transistoren höhere
Stromdichten oder den Betrieb bei höheren Frequenzen ermöglicht. Yttrium (Y)
spielt ebenfalls eine entscheidende Rolle bei der Anpassung der
elektronischen und ferroelektrischen Eigenschaften für energieeffiziente und
leistungsstarke elektronische Komponenten.

AIXTRONs CCS-MOCVD-System zeichnet sich durch die Möglichkeit aus,
Präkursoren mit niedrigem Dampfdruck zu verarbeiten. Gleichzeitig wird das
Wachstum bei hohen Partialdrücken von Scandium in Barriereschichten und
aktiven Schichten ermöglicht. Für diese Installation wird das MOCVD-System
mit einer neu entwickelten Hochtemperaturquelle und einer optimierten
Präkursor-Handhabung ausgestattet, die eine stabile, kontrollierbare
Einbindung von Sc und Y ermöglichen, ohne die Gleichmäßigkeit der Schicht zu
beeinträchtigen. Diese Funktionen ermöglichen es Forschern, Materialien und
Bauelement-Designs zu erforschen, die bisher schwer zu realisieren waren.
Somit wird eine Brücke zwischen wissenschaftlichen Entdeckungen und
skalierbaren Prozessbedingungen geschlagen.

"Wir freuen uns sehr, das CCS MOCVD-Werkzeug von AIXTRON in die
Materialwissenschaftliche Fakultät zu integrieren", sagte Professor Hari
Nair, Assistenzprofessor in der Materialwissenschaftlichen Fakultät der
Cornell University. "Diese Anschaffung ist ein wichtiger Schritt vorwärts in
unserem Engagement für wegweisende Forschung. Die Möglichkeit,
Quellenmaterialien mit niedrigem Dampfdruck für Scandium und Yttrium unter
kontrollierten Bedingungen in den Reaktor einzubringen, eröffnet neue Wege,
die piezoelektrischen und ferroelektrischen Eigenschaften dieser
Schichtsysteme zu verbessern. Diese Scandium oder Yttrium enthaltende
Schichten sind sehr wünschenswert für elektronische Systeme der nächsten
Generation."

"Wir sind stolz darauf, die Fakultät für Materialwissenschaften der Cornell
University mit unserer CCS-MOCVD-Technologie zu unterstützen", sagte Dr.
Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE. "Unsere Systeme sind so konzipiert, dass
sie den anspruchsvollen Anforderungen der Forschung im Bereich neuer
Materialien gerecht werden. Die maßgeschneiderte Hochtemperaturquelle und
das fortschrittliche Präkursoren-Management der Quellenmaterialien dieses
Tools unterstreichen das Engagement von AIXTRON, das Bearbeiten neuer
Materialien zu ermöglichen und Laborinnovationen in industriell relevante
Prozesse umzusetzen."

Die Anschaffung des CCS-MOCVD-Systems durch Cornell ist ein wichtiger
Meilenstein im Streben der Universität nach exzellenter Forschung. Die
Universität freut sich auf die Entdeckungen, Innovationen und
interdisziplinären Kooperationen, die dieses Gerät ermöglichen wird,
darunter Partnerschaften mit Industrie und akademischen Einrichtungen
weltweit.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

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