AIXTRON hat Planetary-GaN-MOCVD-Systeme an Renesas zur Erweiterung der High-Volume-Manufacturing-Kapazitäten geliefert

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EQS-Media / 07.05.2026 / 08:00 CET/CEST

AIXTRON hat Planetary-GaN-MOCVD-Systeme an Renesas zur Erweiterung der
High-Volume-Manufacturing-Kapazitäten geliefert

Herzogenrath, 7. Mai 2026 - AIXTRON SE (FSE: AIXA) hat Renesas mehrere
Planetary G5+C-Systeme geliefert, um dessen Produktionskapazitäten für
Galliumnitrid-(GaN)-Bauelemente in Hochvolumenfertigungsumgebungen (HVM)
signifikant auszubauen. Die Zusammenarbeit stärkt Renesas'
GaN-Fertigungskapazitäten und adressiert die stark steigende Nachfrage in
wichtigen Anwendungen der Leistungselektronik.

Seit der Übernahme von Transphorm im Juni 2024 treibt Renesas die
industrielle Skalierung der GaN-Technologie konsequent voran. Die
Schwerpunkte liegen auf Anwendungen in der E-Mobilität und im
Automotive-Bereich, auf fortschrittlichen Internet-of-Things-(IoT)-Lösungen,
auf Schnellladeinfrastrukturen, auf Stromversorgungsarchitekturen für KI-
und Rechenzentrumsanwendungen sowie auf Systemen für erneuerbare Energien
und industrielle Anwendungen. Das Ziel ist eine hocheffiziente, kompakte und
skalierbare Leistungswandlung bereitzustellen.

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) ist ein Schlüsselverfahren
in der Halbleiterfertigung, dass die Abscheidung hochqualitativer
GaN-Epitaxieschichten mit präzise kontrollierten Materialeigenschaften
ermöglicht. Die Planetary-MOCVD-Systeme von AIXTRON sind auf einen hohen
Durchsatz und eine exzellente Schichtuniformität ausgelegt. Sie unterstützen
die nahtlose Skalierung der GaN-Leistungshalbleiterproduktion von Renesas.
Die Systeme wurden bereits ausgeliefert und sind vollständig im Betrieb.

"GaN ist eines der dynamischsten Wachstumssegmente unserer Branche und
entwickelt sich zunehmend zu einem zentralen Treiber unseres
Power-Geschäfts", sagte Rohan Samsi, Vice President der GaN Business
Division der Power Product Group bei Renesas. "Wir freuen uns, auf der
bewährten Planetary-Plattform aufzubauen, die ursprünglich bei Transphorm
eingeführt wurde, und unsere Fertigungskapazitäten mit zusätzlichen AIXTRON
GaN Planetary Systemen nahtlos zu erweitern."

"Die Entscheidung von Renesas, die GaN-Produktion im
High-Volume-Manufacturing gezielt hochzufahren, unterstreicht die
beschleunigte Marktdynamik im Wide-Bandgap-Sektor", sagte Dr. Nicolas
Müsgens, Director Product Management GaN bei AIXTRON. "Als langjähriger
Technologiepartner unterstützen wir diese Expansion mit unseren etablierten
Planetary-MOCVD-Produktionslösungen. Der Auftrag über zusätzliche AIXTRON
GaN Planetary Systeme belegt das klare Bekenntnis von Renesas zur
GaN-Großserienfertigung und wir sind stolz darauf, mit unserer Technologie
zu diesem Wachstum beizutragen."

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED- und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close
Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®,
Multi-Ject®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Sprache vor. Bei Abweichungen
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
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