U.S. International Trade Commission (ITC) entscheidet zugunsten von
Infineon und verhängt ein Import- und Vertriebsverbot gegen
Innoscience
München (ots) - - ITC hat im Patentverletzungsverfahren gegen Innoscience
zugunsten von Infineon entschieden

- Die Behörde untersagt Innoscience den Import und Verkauf von
Galliumnitrid-Produkten in den USA

- Entscheidung unterstreicht erneut den Wert des branchenführenden
Patentportfolios von Infineon

Die Full Commission der US International Trade Commission (ITC) hat die
vorläufige Feststellung vom Dezember 2025 bestätigt, wonach Innoscience ein
Infineon-Patent im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie verletzt hat. Die
Behörde ordnete ein Import- und Verkaufsverbot gegen Innoscience an. Diese
Entscheidung und die Unterlassungsverfügungen unterliegen einer 60-tägigen
Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten.

"Diese Entscheidung unterstreicht einmal mehr die Stärke des geistigen Eigentums
von Infineon. Sie bestätigt unser Engagement, das Patentportfolio von Infineon
konsequent zu schützen und einen fairen Wettbewerb im Markt sicherzustellen",
sagt Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter des GaN-Geschäfts bei
Infineon. "Mit unserer branchenführenden 300-Millimeter-GaN-Fertigung sind wir
herausragend positioniert, um Innovationen zu skalieren. Dadurch können wir
unseren Kunden genau die Leistungs-, Qualitäts- und Kostenvorteile bieten, die
sie benötigen, um die Dekarbonisierung und Digitalisierung weiter
voranzutreiben", fügt er hinzu.

Das Urteil ist eine weitere positive Entscheidung, die die Rolle von Infineon im
Bereich der GaN-Technologie unterstreicht. In einem weiteren Rechtsstreit in
Deutschland macht Infineon die Verletzung von drei Patenten und eines
Gebrauchsmusters vor dem Landgericht München I geltend. Bereits im August 2024
hat das Münchner Gericht eine Verletzung des ersten Infineon-Patents durch
Innoscience festgestellt. Die Verhandlungen zu einem Patent und einem
Gebrauchsmuster sind für Juni 2026 angesetzt.

Infineon ist ein führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt mit
dem branchenweit breitesten IP-Portfolio, das rund 450 GaN-Patentfamilien
umfasst. GaN spielt eine Schlüsselrolle bei der Realisierung leistungsstarker
und energieeffizienter Leistungssysteme in einer Vielzahl von Anwendungen,
darunter erneuerbare Energiesysteme, KI-Rechenzentren, industrielle
Automatisierung und Elektrofahrzeuge (EVs). Durch höhere Leistungsdichte,
schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste ermöglichen
GaN-Halbleiter kompaktere Designs, verringern Energieverbrauch und
Wärmeentwicklung. Als führendes Unternehmen im Bereich Leistungssysteme
beherrscht Infineon alle drei relevanten Materialien: Silizium (Si),
Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von
Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit
seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und
Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte
(Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen
Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol
"IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol
"IFNNY" notiert.

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